矽光子光源晶片
現今氣體偵測技術多為電化學式及半導體式,但均因其成本高、壽命短且受限於材料種類等問題,進而限縮其應用的場域。
相較之下,光學式氣體偵測器擁有成本、壽命及偵測多樣性等特點,藉由台灣奈微光獨家技術,首創基於矽光子技術產生出欲偵測氣體吸收之特定中長波紅外光(MWIR~LWIR),以達到特殊氣體偵測之目的,此技術亦可用於特定液體或固體之偵測。
此光源晶片具有廣域操作溫度、高精準度、高靈敏度、低功耗及高功率光輸出等特點,適用於多種應用環境,如居家環境、生理體徵、工業氣體及車用等偵測之光源。
矽光子光源 晶片 特點
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可指定發光波長(3~12μm)
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低功耗
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高精準度
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高靈敏度
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可耐受高溫環境
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連續波
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高光電轉換效率
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可整合多種波長至單一晶片上
矽光子光源 晶片優勢
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氣體量測準確度高:不需另建AI後置平臺計算,即可解決近紅外光譜擁擠判斷容易失真的問題。
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微小化:本公司矽光子光源晶片模組易與IC整合,可簡化系統。
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單晶片多功能:本公司可提供單晶片多波長選擇功能。
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成本具競爭力:不受限於長晶設備、生產技術與原料,除品質良好外,生產製程縮短,成本遠低於化合物半導體。
產品規格
產品圖片 | 產品名稱 | 發光峰值 | 半高寬 | 光通量 | 驅動電壓 | 封裝型式 | 應用範圍 |
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NME5800A | 5.8 μm | 1 μm | 2.9 mW | 3 V | TO | HNO₃,Acetone,N₂O₄ | |
NME6100A | 6.1 μm | 1 μm | 3.5 mW | 3 V | TO | NH₃,NO₂ | |
NME7000A | 7.0 μm | 1 μm | 3.5 mW | 3 V | TO | Acetone, IPA, Ethanol | |
NME7400A | 7.4 μm | 1 μm | 3.3 mW | 3 V | TO | H₂S,SO₂,CH₃CHO |